Авторизація
  • 00:14 – Apple дозволила користувачам власноруч легалізувати замінені компоненти 
  • 00:02 – Повертається гра, яка підвищувала ціну iPhone до $99 тис. 
  • 01:00 – Три крихітних ядерних реактори для дата-центра: Oracle будує таку систему споживанням 1 ГВт 
  • 00:11 – Google повертає можливість зазирнути в минуле інтернет-сторінок 
  • 00:09 – Cмартфон Huawei Mate XT Ultimate: 10,2-дюймів, товщина 3,6 мм та ціна $3400 

 

Надшвидкісні SSD готуються до появи: пам’ять NAND 2400 МТ/с у масовому виробництві

YMTC розпочав поставки своїх твердотільних накопичувачів Zhitai TiPlus7100 на основі останньої 232-шарової пам’яті 3D NAND Xtacking 3.0 зі швидкістю 2400 МТ/с. Це свіже покоління пам’яті 3D NAND потрібне для виробництва твердотільних накопичувачів з інтерфейсом PCIe 5.0 x4. Вони зможуть повністю використати пропускну здатність цього інтерфейсу, досягаючи швидкості послідовного читання 12,4 ГБ/с.



Надшвидкісні SSD готуються до появи: пам’ять NAND 2400 МТ/с у масовому виробництві



Zhitai TiPlus7100 від YMTC — це накопичувачі M.2-2280 PCIe 4.0 x4, розроблені для поєднання доступності з високою продуктивністю. Твердотільні накопичувачі будуть доступні у версіях на 512 ГБ, 1 ТБ і 2 ТБ з найшвидшими версіями для послідовного читання до 7000 МБ/с, а також швидкості послідовного запису до 6000 МБ/с.


Що стосується операцій доступу, то моделі 1 ТБ і 2 ТБ пропонують до 900 тис. IOPS випадкового читання, а також до 700 тис. IOPS випадкового запису. Накопичувачі TiPlus7100 не містять буфера SDRAM і використовують буфер пам’яті хоста. Ці накопичувачі можуть легко конкурувати з найкращими доступними сьогодні SSD.







Capacity




512GB




1TB




2TB






Interface




PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4




PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4




PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4






Form-factor




M.2-2280




M.2-2280




M.2-2280






Sequential Read Speed




7000 MB/s




7000 MB/s




7000 MB/s






Sequential Write Speed




3600 MB/s




6000 MB/s




6000 MB/s






Random Read (4K)




800K IOPS




900K IOPS




900K IOPS






Random Write (4K)




600K IOPS




700K IOPS




700K IOPS






MTBF




1.5M hours




1.5M hours




1.5M hours






Durability




300 TBW




600 TBW




1200 TBW






Warranty




5 years




5 years




5 years





YMTC does not disclose what controller it uses for its Zhitai TiPlus7100 SSDs, but the main point about these drives for us is that they use the company’s 1Tb X3-9070 chips — 232-layer six-plane 3D TLC NAND memory devices with a 2400 MT/s interface and the company’s proprietary Xtacking 3.0 architecture.


The 1Tb X3-9070 device not only boasts a bit density of 15.03 Gb/mm^2 (as revealed by TechInsights), which by far exceeds the bit density of 1Tb 3D TLC NAND memory ICs with less than 200 layers, but it also features an ultra-fast 2400 MT/s interface.



Earlier this week, Micron introduced its Micron 2550 drives based on its 232-layer six-plane 3D TLC NAND devices that is said to have a 14.6 Gb/mm^2 bit density, which outstrips YMTC’s 232-layer 3D TLC ICs in terms of bit density. Meanwhile, Micron’s ICs currently shipped have a 1600 MT/s interface, which is good enough for mainstream drives, but not good enough for ultra-high-performance SSDs with a PCIe 5.0 x4 interface.





Тип комерційно доступної пам’яті NAND









YMTC




Micron




Samsung




WD/Kioxia




SK hynix




YMTC






Кількість шарів




232




232




128




162




176




128






Щільність ГБ/кв.мм




15.03 Gb mm^2




14.6 Gb mm^2




6.91 Gb mm^2




10.4 Gb mm^2




10.8 Gb mm^2




8.48 Gb mm^2






Ємність




1 Tb




1 Tb




512 Gb




1 Tb




512 Gb




512 Gb






Кількість шарів у наступному поколінні




?




?




300+




212




238




196







YMTC не розкриває, який контролер використовується для твердотільних накопичувачів Zhitai TiPlus7100, але головне полягає в тому, що вони використовують чипи компанії 1 ТБ X3-9070. Це 232-шарові пристрої пам’яті 3D TLC NAND із шістьма площинами та 2400 МТ/с і власною архітектурою Xtacking 3.0.




Пам’ять 1 ТБ X3-9070 не тільки може похвалитися бітовою щільністю 15.03 Гбіт/мм^2. Це значно перевищує щільність бітів мікросхем пам’яті 3D TLC NAND ємністю 1 Тбайт із менш ніж 200 шарами. Новинка також має надшвидкий інтерфейс 2400 МТ/с.


Раніше Micron представила накопичувачі Micron 2550 на основі своїх 232-шарових шестиплощинних пристроїв 3D TLC NAND, які, як кажуть, мають щільність бітів 14,6 Гбіт/мм^2. Це перевершує 232-шарові 3D TLC IC YMTC з точки зору щільності зберігання даних. Між тим, мікросхеми Micron, які зараз постачаються, мають інтерфейс 1600 МТ/с, що достатньо для основних дисків, але недостатньо для надвисокопродуктивних SSD з інтерфейсом PCIe 5.0 x4.




Таким чином, хоча YMTC не єдина компанія, яка масово виробляє 3D NAND із понад 200 шарами, це перша компанія, яка масово виробляє пам’ять зі швидкістю вводу-виводу 2400 МТ/с. Однак це триватиме недовго, оскільки на початку 2023 року Micron планує розпочати виробництво 232-шарової 3D NAND з інтерфейсом 2400 МТ/с.

 

Підписуйтесь на канал в Telegram та читайте нас у Facebook. Завжди цікаві та актуальні новини!

Залишити коментар
Підписуйтесь на нас